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动态随机存取记忆体
DDR4在DDR3的基础上增加了几个新的省电功能，包括:
1. DQ引脚的低功率伪开漏驱动器
2. 可选ODT输入缓冲区禁用模式断电功能
3. 可选最省电模式功能
4. 可选命令地址延迟(CAL)
DDR4向后兼容远至DDR3-1333. 对于不需要提高DDR3-1333和DDR3-1600以上速度的系统, DDR4可以以更低的功耗支持这些较慢的带宽需求.
DDR4在世界各地的美光晶圆厂生产，包括弗吉尼亚州、日本和台湾.
Not really; however, DDR4不需要外部VREFDQ, 但它确实提供了一个内部生成的VREFDQ，需要由动态随机存取记忆体控制器校准.
不完全是. DDR4仍然在数据总线上使用VTT中点终端，以获得良好的信号质量, 然而，与全推挽驱动器相比，它使用伪开漏驱动器来减少开关电流.
否，DDR3要求VDD和VDDQ等于1.5V, VREFCA等于0.5 * VDD, VREFDQ = 0.5 × VDDQ，而DDR4要求VDD和VDDQ等于1.2V, VREFCA等于0.5 * VDD, VPP = 2.5V.
VPP电源取代了早期版本DDR S动态随机存取记忆体(包括DDR3)中存在的内部字线电荷泵. 与提供内部电荷泵相比，在外部提供这种电压可以使DDR4以更经济有效的方式在较低的电压水平下工作.
不，DDR4和DDR3是不一样的. 然而，DDR4使用与DDR3相同的封装尺寸和球间距.
No, DDR4 kept the 8n-bit pref等h used by DDR3; thus, BL8 is still 支持ed.
DDR4现在有一个连接测试模式，以简化边界扫描启用控制器的测试. 设计用于边界扫描设备, 所有微米沙巴体育结算平台均支持CT模式×4, ×8, 和×16设备(虽然JEDEC只要求x16). CT模型允许边界扫描装置在CT模式下从DDR4加载和读取模式. DDR4不直接支持IEEE 1149.1.
是的，DDR4支持DLL关闭模式，类似于DDR3中的DLL禁用模式，最高可达125 MHz
是的，所有的1.35V部件向后兼容1.5V.
是的. 微米支持使用模式寄存器禁用DLL的可选功能, 调用DLL禁用模式. 该特性允许动态随机存取记忆体在低于125 MHz的频率下工作, 然而，计时仍然必须满足刷新间隔. 在DLL禁用模式下操作时, 特殊条件适用-请参阅设备数据表了解详细信息和限制.
在DDR3中，对于给定的时钟频率范围，只有一个CWL是有效的. —tCKavg = 2.5ns to <3.3ns, CWL = 5 - tCKavg = 1.875ns to <2.5ns, CWL = 6 - tCKavg = 1.5ns to <1.875ns, CWL = 7 - tCKavg = 1.25ns to <1.5ns, CWL = 8
美光支持1Gb、2Gb、4Gb和8Gb密度.
由于在DDR3中使用8n预取架构，真正的突发长度为4 (BL4)是不可能的. 突发切割模式在DDR3中可用，以帮助缓解这种情况, 并且在较新的dram中也可用. 在DDR3中使用突发切碎，突发的最后4位基本上是被掩盖的. 爆发斩4 (BC4)的计时不能被当作真正的BL4. 的读与写, 选择写入读取, 并选择WRITE-to-PRECHARGE转换, 系统可以在BC4模式下实现时钟节约. 在进行读到读或写到写转换时, timing must be treated like BL8; no clock savings will be realized. DDR3只支持BC4或BL8, 尽管也有一个即时(OTF)选项，通过地址引脚A12在它们之间切换. 有关更多细节，请参阅设备数据表.
动态ODT (Rtt_WR)使动态随机存取记忆体能够在WRITE期间改变终止值，而无需执行MODE REGISTER SET命令. 当Rtt_Wr和Rtt_Nom同时启用时, 动态随机存取记忆体将在WRITE突发开始时将终止值从Rtt_Nom更改为Rtt_Wr. 一旦突发完成，终止将被更改回Rtt_Nom值. Rtt_Wr可以独立于Rtt_Nom使用，但是只在写时终止.
ZQCL表示ZQ校准长. 该命令必须在上电和初始化过程中发出，需要512个时钟才能完成. 在上电和初始化之后，可以在动态随机存取记忆体空闲时发出该命令. 这些后续命令只需要246个时钟. 当需要的阻抗纠错比ZQCS所能提供的更多时，使用此命令. ZQCS是ZQ校准的缩写. 该命令可以在动态随机存取记忆体空闲时执行. 一个ZQCS最小可以校正0.5%的阻抗误差，需要64个时钟.
MPR是一个多用途寄存器. 它是一种专门的寄存器，用于允许从动态随机存取记忆体中读出预定义的数据. 数据为一位宽，并在素数DQ上输出. 对于美光DDR3部件，主要dq为x4/x8的DQ0和x16的DQ0/DQ8. 在MPR中定义了两个位置. 一个允许读出预定义的数据爆发——在本例中为01010101. 另一个位置用于从片上热传感器输出刷新跳闸点.
DDR3在Vdd = VddQ = 1时运行.5V ±0.075V. DDR3L在Vdd = VddQ = 1时工作.35V (1.283–1.45V)
DDR3的默认输出驱动器阻抗为34欧姆. 阻抗是基于外部240欧姆电阻RZQ的校准.
RESET#是动态随机存取记忆体的主复位. 它是一个活动LOW，异步输入. 当复位#被断言时，动态随机存取记忆体输出被禁用，ODT将关闭(H本-Z). 动态随机存取记忆体计数器、寄存器和数据将是未知的. RESET必须作为上电和初始化顺序的一部分执行. 在此过程中，RESET#必须保持低电平至少200µs. 在上电和初始化之后，RESET#可以在任何时候断言. 曾经断言, 它必须保持低电平至少100ns，然后必须对部件进行完全初始化.
改善信号, DDR3模块的指令采用了fly-by技术, 地址, 控制信号, 和时钟. 由于信号路由, 这种技术在动态随机存取记忆体的时钟和DQ总线之间存在固有的时间倾斜. 写调平是系统控制器在动态随机存取记忆体上使DQ频闪(DQS)与时钟关系不倾斜的一种方法. 由动态随机存取记忆体提供的简单反馈功能允许控制器检测歪斜量并相应地进行调整.
ZQ校准命令可以在进程中校准动态随机存取记忆体的输出驱动(Ron)和ODT值(Rtt), 电压, 当一个240欧姆(±1%)的专用电阻从动态随机存取记忆体的ZQ引脚连接到地时，温度. 在DDR3, 存在两种不同的校准命令:ZQ长校准(ZQCL)和ZQ短校准(ZQCS). ZQCL通常用于上电初始化和复位序列, 但可由总监随时发出, 取决于系统环境. ZQCS is used to perform periodic calibrations to account for small 电压 和 temperature variations; it requires a smaller timing window to complete.
DDR3支持的RTT_nom值为120、60、40、30和20欧姆. 动态ODT值(RTT_WR)为120欧姆和60欧姆.
是的. 美光DDR3部件将支持0°C至95°C的温度.
Using DDR2-1066 with 两个 slots is unrealistic; simulations have not shown acceptable margins.
片内终端(ODT)功率非常依赖于应用. ODT也是可变的，取决于动态随机存取记忆体的EMR中的设置. 使用DDR2功率计算器来确定这些值.
在点对点系统中, ODT只在WRITE周期中是活动的, 并且在空闲和读周期期间不会消耗功率. 在这些情况下，机载终止将消耗电力. 在典型应用中，ODT功率应该是DDR2 动态随机存取记忆体总功率的2 - 3%左右.
Vref引脚不输出任何功率，只输出小于5µA的漏电流.
不，它必须保持在VDDQ/2.
It’s not recommended, as the S动态随机存取记忆体 reads will lose 电压 margin; but technically, it is allowed.
虽然在某些情况下，动态随机存取记忆体可以在DLL关闭的情况下工作, JEDEC没有记录也不支持这种操作模式. 因此，当配置为在禁用DLL的情况下运行时，每种动态随机存取记忆体设计的行为可能不同. 微米不支持或保证禁用DLL的操作. 在禁用DLL的情况下运行动态随机存取记忆体可能会导致设备故障和/或违反一些动态随机存取记忆体输出时序规范.
RDQS的唯一目的是支持在基于x4的RDIMM系统中使用基于x8的RDIMM. RDQS引脚使x8 DDR2 S动态随机存取记忆体能够模拟两个x4.
答案取决于设计实现. 数据设置和保持时间应该设计为150ps或更多的余量. 数据表中有单端DQS摆率降额表，必须用于评估时序. 建议在计算时充分分析时间, 以及使用信号完整性仿真和硬件表征.
对于读操作，动态随机存取记忆体将频闪器与数据沿边对齐. 大多数控制器通过感应频闪器来确定数据窗口的位置. 这种精细的频闪/数据对齐要求每个动态随机存取记忆体都有一个内部DLL. DLL被调整为在有限的频率范围内运行, 在每个动态随机存取记忆体数据表中标识的是什么. 在这些指定的限制之外运行动态随机存取记忆体可能会导致DLL变得不可预测. 对动态随机存取记忆体进行测试，使其在数据表限制范围内运行. 美光不建议或保证动态随机存取记忆体运行超出这些预定义的限制.
是的，所有速度等级都是向后兼容的. 因此，-5B可以在-6T时序和-6T电压水平(2)下运行.5V). 在DDR400速度下，美光部件要求(符合JEDEC标准)Vdd = VddQ = 2.6V ±0.1V. 低速等级(DDR333至DDR200), 微米部件是向后兼容的, 只要求Vdd = VddQ = 2.5V ±0.2V.
不需要使用单独的调节器来为美光的DDR S动态随机存取记忆体提供Vref. 然而, 因为Vref是所有单端输入的参考电压, 由于与其他I共用稳压器而产生的任何噪声.C.在电路板上或使用VDD电源的分压器, 会直接影响这些输入的噪声裕度吗. 许多多滴系统已经为DDR存储器指定了一个电压调节器. 其他集成点对点存储器的系统通常在VDD和VSS之间使用简单的分压器电阻网络. 系统设计者应该评估每个特定系统的优先级和权衡，并使用最适合系统的电源方案.
美光正在支持并计划支持SDR数年. 有关更多信息，请与您当地的美光销售代表联系.
美光已经支持并计划支持DDR数年. 有关更多信息，请与您当地的美光销售代表联系.
是的. 在自我刷新期间需要VREF. 在自我刷新模式下，所有DDR组件的片上地址计数器仍在运行, 因此VDD必须保持在规定的数据表限制内. 同样，在DDR内存进入自我刷新模式后，不能禁用VREF. 这样做很容易导致无意中退出自我刷新. You should underst和 that VREF draws almost no power; any current drawn by VREF is negligible when compared to VTT 和 the core VDD. DDR元件通常使用差分对共源放大器作为其SSTL_2输入接收器. 由于VREF引脚主要用作该电路的输入，因此其电流消耗很低. 它是如此的低, 事实上, 器件的输入漏电流(~5µA)可视为VREF引脚的最大电流要求. 典型的VTT电源来自电路板上的其他地方，除了动态随机存取记忆体设备外，还取决于模块/系统上使用的其他组件.
tWPST最大规格不是设备限制. 设备将以更大的值运行此参数, 但是系统性能(总线周转)会相应降低.
如果在刷新时间(tREF)内读取或写入所有不同的行地址, 不需要执行刷新. (不同的行地址是与REFRESH周期数相同的行数. 例如，在8,192/64ms的情况下，行数等于8,192.)带动态随机存取记忆体, 选择行地址会导致与刷新相同的操作, 因此不需要执行REFRESH命令.
美光公司建议将未使用的数据引脚设为HIGH或LOW. 因为美光在动态随机存取记忆体制造中使用CMOS技术, 让它们浮动可能会使引脚容易受到噪声的影响，并产生随机的内部输入电平. 未使用的引脚可以通过电阻连接到VDD或接地.
NC(无连接)引脚表示不存在或不允许内部连接的设备引脚. 美光公司建议不要在这个引脚上进行外部连接. 但是，如果无意中建立了连接，则不会影响设备的运行. 有时NC引脚可以保留以备将来使用. 参考零件的数据表确认是否保留引脚以备将来使用. NF(无功能)引脚是指与设备电连接，但其信号在设备运行中不起作用的设备引脚. 美光强烈建议不要与此引脚进行外部连接. DNU(禁止使用)引脚指的是一种设备引脚，它可以有内部连接，也可以没有内部连接，但不允许与外部连接. 美光要求没有外部连接到这个引脚. 有关详细信息，请参阅该部件的数据表.
是的，所有速度等级都是向后兼容的. 因此，-5B可以在-6T时序和-6T电压水平(2)下运行.5V). 在DDR400速度下，美光部件要求(符合JEDEC标准)Vdd = VddQ = 2.6V ±0.1V. 低速等级(DDR333至DDR200), 微米部件是向后兼容的, 只要求Vdd = VddQ = 2.5V ±0.2V.
微米 SDR S动态随机存取记忆体数据表要求时钟频率在访问或预充电状态时保持恒定. 然而, 因为S动态随机存取记忆体中没有DLL, 可以动态地移动时钟频率, 尽管美光不建议这样做. 如果设计需要移动频率, 降低S动态随机存取记忆体频率可能是可以的, 即使您没有进行LMR和CAS延迟更改. 在频率增加的情况下，确保满足tCK和CAS延迟规范. 在任何一种情况下，必须始终遵守所有其他数据表时间规范.
因为SDR S动态随机存取记忆体没有DLL，所以没有最小时钟频率. 然而, 如果设备的时钟频率较低, 在时钟边缘保持一个合理的快速转换率以避免设置和/或保持时间违规的风险仍然很重要. 同样，对于45 MHz的工作频率，tCKS = 3.0ns. 有关更多信息，请参阅S动态随机存取记忆体反转率违规的LVTTL降额(TN-48-09).
是的，CK/ ck#和DK/DK#输入缓冲器是真正的差分输入. 这两组时钟都需要满足RL动态随机存取记忆体数据表中的时钟输入操作条件表中定义的规格.
是的. 但是，当片上终止(ODT)被启用时，DNU引脚将连接到VTT. 在这种情况下，将DNU引脚连接到GND将导致VTT电源的负载大大增加.
简化的命令集，只有四个命令和快速的周期时间，低至7ns tRC
多银行写是一种允许类似sram的随机读访问时间的特性. Using this feature can reduce RL动态随机存取记忆体 3’s already low tRC (<10ns) by up to 75% during reads. 通过RL动态随机存取记忆体的3模式寄存器, 你可以选择给一个人写信, 两个, 或者同时四家银行. 通过在多个银行中存储相同的数据, 存储器控制器可以灵活地决定从哪个银行读取数据，以最小化tRC延迟.
多银行写入，支持类似sram的随机读取功能. MULTIBANK REFRESH使管理刷新开销比以往更加灵活, 允许同时刷新一到四个银行. RL动态随机存取记忆体3还支持镜像功能，以简化翻盖设计的布局.
是的. 尽管RL动态随机存取记忆体 3是一种新的架构, 它利用了DDR3和RL动态随机存取记忆体 2的许多特性，使采用和集成尽可能容易. 命令协议, 寻址, 和频闪方案与RL动态随机存取记忆体 2相同, 而I/O, 交流时间, 读取训练寄存器与DDR3非常相似.
是的. 美光的绿色工程项目符合rohs标准，并符合世界上大多数新兴的环境标准, 包括亚洲和欧洲.
我们设计的零件满足或超过JEDEC规格. 随着标准的变化，我们将做出必要的改变，以确保我们的零件符合新的规格. 任何变更都将在沙巴体育结算平台变更通知(PCN)中注明，并发送给我们的客户.
VDDQ从1减小.1V到0.LPDDR4X为6V，进一步降低LPDDR4的功率. LPDDR4X的最大数据速率与LPDDR4相同，为4266Mbos/pin. LPDDR4X支持单端CK/DQS特性.
LPDDR5每引脚最大数据速率为6400Mbps，为1.比LPDDR4快5倍. 最大数据速率4266Mbps，同时提高能效(pJ/bit). LPDDR5中引入了许多降低功耗的特性. 请参阅下面的技术说明.
TN-62-02: LPDDR5接口: LPDDR5接口描述，与LPDDR4X的区别
牧师. A – 4/19
TN-62-03: LPDDR5培训: LPDDR5 S动态随机存取记忆体培训概览
牧师. A – 5/19
n -62-04: LPDDR5时钟: LPDDR5时钟的描述，包括与LPDDR4的简要比较.
牧师. A – 5/19
n -62-06: LPDDR5架构: LPDDR5架构的总体概述
牧师. A – 7/19
TN-62-07: LPDDR5 ZQ校准: LPDDR5 ZQ校准概述
牧师. A – 12/19
[cn . 62 . 08] [au::我不知道
牧师. A – 7/19
骰子没有区别. 我们选择添加“移动”, “汽车”和“嵌入式”前缀到我们的LP动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台线，以配合每个细分市场. 移动指的是智能手机和平板电脑等便携式设备. 汽车是指与机动车辆有关的装置. 嵌入式是为专用计算机系统设计的一种或两种特定功能的设备, 不像通用计算机. 在嵌入式应用中, 该设备作为一个完整的设备系统的一部分嵌入, 例如, 变成数字电视, 一个摄像头, 还有一个机顶盒, 等. 每个细分市场都有不同的沙巴体育结算平台要求，例如在零件号中注明的操作温度. 请参考每个数据表了解实际工作温度范围.
操作温度
空白=商业温度
工业温度
汽车温度
无线温度
XT =宽温度
超温度
ET =极端温度
这取决于. 密度在LP动态随机存取记忆体和标准SDR/DDR之间的价格比较中起着重要作用. 也, 因为LP动态随机存取记忆体在x16的标准配置中提供, X32和x64, 如果您的应用程序目前使用两个x16组件来支持x32总线，那么您可能能够降低总体BOM成本. 您可以使用一个x32 LP动态随机存取记忆体，而不是两个x16标准动态随机存取记忆体. 有关费用信息，请与当地代表联系.
LPDDR3优化了电池寿命和便携性. DDR3L- rs是DDR3L芯片的低IDD6版本，提供了价格与性能的平衡, 以及改进的待机功率.
是的. LP动态随机存取记忆体部件可以以等于或低于其额定速度等级的任何速度运行.
优化的沙巴体育结算平台，其中功耗是一个问题, 我们的低功耗LP动态随机存取记忆体器件结合了领先的技术和封装选项，以满足空间要求并延长电池寿命. LP动态随机存取记忆体具有DDR/SDR接口.
我们对这个快速增长的市场感到兴奋. 我们计划在未来的许多年里制造LP动态随机存取记忆体，并计划继续缩小我们的设计以实现更高的密度.
我们提供全面的LP动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台组合, 具有广泛的密度和封装选项(包括电平标准的FBGA), xMCP, 和package-on-package). 凭借美光丰富的LP动态随机存取记忆体经验, 我们的全球技术支持团队可以为您提供所需的专业知识和帮助，使您的设计更快地推向市场.
动态随机存取记忆体模组
通过适当的解耦，这是一个可以接受的设计. 然而，美光建议确保所有的供应都是分开的. Vref往往有更多的噪声，因为它提供的信号是有规律的切换. 稳健的设计通常不会连接这些电源，因为有可能将这种噪声引入Vtt平面，而Vtt平面应该尽可能稳定. 此外，Vref比Vtt需要更少的电流.
NVDIMM是一种结合NAND闪存的非易失性持久存储解决方案, 动态随机存取记忆体和一个可选电源组成一个单一的存储器子系统. 美光的NVDIMM能够提供动态随机存取记忆体的性能水平，同时具有NAND的持久可靠性, 确保存储在内存中的数据不受断电的影响.
nvdimm位于服务器的动态随机存取记忆体内存槽位，以动态随机存取记忆体的速度执行工作负载. 在电源故障或系统崩溃的情况下, 板载控制器将存储在动态随机存取记忆体中的数据安全地传输到板载非易失性存储器, 从而保留了否则可能丢失的数据. 当系统恢复稳定时, 控制器将数据从NAND传输回动态随机存取记忆体, 允许应用程序有效地从中断的地方恢复.
持久内存是内存/存储层次结构的新成员，它通过提供非易失性来实现数据管理的更大灵活性, 更靠近处理器的低延迟内存. 本质上, 持久性内存通过消除标准存储技术施加在应用程序上的限制I/O瓶颈来加速应用程序性能. 通过在动态随机存取记忆体总线上放置非易失性存储器, 这种架构使客户能够显著优化数据移动，以便更快地访问存储在动态随机存取记忆体中的变量.
拥有持久的记忆, 在访问必须保留的关键数据时，系统架构师不再被迫牺牲延迟和带宽. 关键数据可以存储在靠近处理器的地方，大大缩短了访问时间. 持久内存提供了独特的延迟平衡, 带宽, 容量和成本, 为关键数据提供类似dram的超高速访问，使系统设计人员能够更好地管理总体成本.
任何性能取决于存储在非易失性介质(HDD或固态硬盘)中的变量的应用程序都可以从nvdimm中受益(大多数应用程序都可以加速)。. 持久变量包括元数据日志, 检查点状态, 主机写缓存, 写缓冲区, 日记账和一般日志. 可以通过在NVDIMM中放置这些变量来加速的应用程序包括2节点, 使用RAID卡的高可用性存储, 固态硬盘的映射, ssd的RAMDisk和写缓存.
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- 8GB DDR4 NVDIMM与旧固件 \n
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美光将提供三款DDR4 NVDIMM沙巴体育结算平台:
- 8GB DDR4 NVDIMM与旧固件
- 8GB DDR4 NVDIMM，带有JEDEC固件
- PowerGEM®超级电容，用于8GB NVDIMM
遗留固件是指由AgigA Tech确定的固件功能和控制器寄存器位置, 公司.，用于初始DDR4 NVDIMM设计. JEDEC现在已经标准化了NVDIMM固件的功能, 寄存器位置和api，以便一个供应商的NVDIMM可以与任何其他供应商的NVDIMM兼容. 所有新的美光NVDIMM解决方案都将利用JEDEC固件接口.
如今，许多主板、服务器和存储设备都支持nvdimm. 2016年将有更多的此类沙巴体育结算平台上市. 请与您的供应商联系以获取更多细节.
nvdimm支持块模式或直接访问驱动程序. 与块模式驱动程序一起使用的nvdimm与操作系统和应用程序兼容，几乎不需要对软件进行修改. 通过利用带有直接映射驱动程序的NVDIMM，可以获得额外的性能, 但操作系统和应用软件可能需要一些修改. 美光目前正在与主要的oem和软件公司合作，以整合NVDIMM硬件, 驱动程序和软件支持纳入其主流沙巴体育结算平台.
快闪记忆体
嵌入式多媒体卡(e.MMC是JEDEC定义的基于NAND闪存的存储解决方案，采用小型BGA封装. JEDEC定义了硬件和软件, 支持轻松的客户设计和多源能力.
我们的嵌入式市场.MMC沙巴体育结算平台分为两大家族:汽车和广阔市场. This is due to the unique requirements that are required in the automotive market; thus, 还有一条独立的沙巴体育结算平台线，由美光的汽车团队提供支持. 广大市场涵盖所有其他细分市场，如消费者, 游戏, 服务器, 网络, 工业, 医疗, 军事, 等. 广大市场.MMC包括两个子家族:具有商业温度等级的WT和具有扩展温度范围的IT.
您可以通过网站订购样品 微米样品中心.
是的，JEDEC规范必须与数据表一起阅读. 微米e.MMC complies with the JEDEC st和ard; hence, 美光的数据表提供的信息仅针对美光的电子沙巴体育结算平台.MMC设备.
是的，宜必思型号可用于WT和IT沙巴体育结算平台(JEDEC 153-/169球和100球)
美光为工业客户提供广泛的解决方案, 如五密度和电平标准BGA 153-/169球和定制100球包装. 所有这些沙巴体育结算平台将在-40°至85°C的扩展温度范围内工作.
美光的100球e.MMC BGA包的特点是1.0毫米球距，简化电路板布线(节省PCB成本)，提高板级可靠性(温度循环). 该解决方案对汽车、工业和网络细分市场特别有吸引力. 有关其他好处，请参见下表.
100球的特点.MMC |
好处 |
大1.0毫米球距 |
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大0.45mm公称球径 |
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球数低(与153球相比).MMC JEDEC-st和ard) |
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100球图案包含12个机械支撑球(每个角3个) |
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柔性球体设计 |
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美光(微米)已经完成了EOL.MMC 4.4提供. 请参考您的AE以获得支持. 专门的技术说明”TN-FC-08:从微米 v迁移. 4.4 e.MMC到4.41 e.MMC，可供查阅.
是的,e.MMC提供了两个引导分区，以提供对引导代码的快速访问，从而改进系统引导时间. 从引导分区引导可以在50ms内提供对存储数据的访问, 而从用户区启动可能需要数百毫秒. 然而, 为了利用引导分区, 芯片组必须能够支持从引导分区引导. 请与您的芯片组供应商联系，以了解是否从e启动.支持MMC引导分区.
是的，ESG.MMC设备支持静态数据保护. 设备以COMBO的形式从美光工厂发货，配置经过优化以获得最佳写入性能. 客户可以重新配置设备，以便在写操作过程中断电时保护静态(先前写入的)数据.
是的，ESG.MMC设备支持静态数据保护. 设备以COMBO的形式从美光工厂发货，配置经过优化以获得最佳写入性能. 客户可以重新配置设备，以便在写操作过程中断电时保护静态(先前写入的)数据.
e.MMC规范允许客户将用户数据区配置为最多四个独立的分区，每个分区都可以配置为MLC(默认)或增强模式(pSLC)。. 增强模式提供了更好的可靠性，以换取两倍于MLC的空间.
有关更多信息，请参阅“TN-FC-40:嵌入式.MMC配置"
e.MMC驱动程序通常在市场上可用，因为它是一个行业标准沙巴体育结算平台.
嵌入式通用串行总线(eUSB)是一种基于NAND闪存的存储解决方案，符合USB行业标准. USB是一种广泛采用的接口，可以跨多个平台和操作系统使用, 提供低成本, 有效的数据传输解决方案，为当前的应用程序和超越.
eUSB是一个完全管理的解决方案，利用NAND存储器和, 通过板载控制器, 内部处理所有媒体管理和ECC控制. eUSB为客户提供了一个完整的存储解决方案，可以轻松集成到他们的系统和设备中, 反过来, 缩短了上市时间.
使用本机SLC NAND存储器, 结合了丰富的管理功能，如全局磨损均衡和动态数据刷新, eUSB提供了性能和可靠性的卓越组合.
eUSB设备有一个10针(2x5) USB母连接器，与大多数主板上的工业标准10针连接器兼容. PCB上还提供了一个安装孔(直接连接到内部接地)，以确保与系统板的稳定连接. PC板上的额外孔, 在制造过程中用于去镶板, 如果需要，也可以用作附加安装位置吗.
是的. 美光的eUSB可以用作操作系统启动和主存储设备. 然而, 应用程序的BIOS必须支持启动模式特性, 对于大多数在过去五年中生产并支持USB 2的系统来说，这应该不是一个问题.0. 在主存储器或引导模式下, eUSB应该被识别为系统中的固定硬盘驱动器.
平面NAND闪存已接近其实际规模极限, 存储器行业面临的挑战是什么. 行业创新需要最先进的NAND技术，以实现更高的密度和更低的每比特成本. 3D NAND允许闪存解决方案继续与摩尔定律保持一致, 大大提高了NAND闪存的密度，同时降低了其成本.
英特尔和美光公司开发的3D NAND技术在密度和成本上有了显著的改进, 这是第一个使用浮动栅单元的3D NAND. 这种3D NAND使闪存器件的容量比生产中的其他平面NAND芯片高三倍, 第一代NAND的设计是为了实现比平面NAND更好的成本效率. 还有各种特性可以改善延迟, 增加耐用性，使系统集成更容易.
我们集成了各种特性，以提供改进的性能和新功能, 包括新的编程算法和电源管理模式，有助于使系统集成更容易. 看到 FortisFlash 以了解有关这些特性的更多信息.
新的3D NAND技术使用浮动栅单元和32层垂直堆叠闪存单元，以实现256Gb多级单元(MLC)和384Gb三级单元(TLC)芯片，可在标准封装中安装.
目前，美光只提供大型块设备. 如需更多资料，请参阅技术说明 TN-29-07:小块vs. 大块NAND器件.
获得美光NAND闪存器件的最大PROGRAM/读吞吐量, 使用PROGRAM和读缓存操作. 有关如何使用这些命令的详细信息，请参阅NAND设备数据表和我们的NAND技术说明页面.
高速NAND可以以每秒200兆字节(MB/s)的速度读取数据，并可以以每秒100兆字节的速度写入数据. 这些速度是通过利用新的ONFI 2来实现的.0接口规范和具有更高时钟速度的四平面架构. 相比, 传统SLC NAND读取数据的速度限制在40mb /s，写入数据的速度限制在20mb /s以下. 为了最大限度地提高高速NAND的性能优势，用户必须使用新的ONFI 2.0同步接口标准.
Nvb被指定为P/E周期规范结束时有效块的最小数量.
我们定义了每个512字节段的ECC要求. 由于每个单元的位数增加，MLC NAND器件比SLC NAND具有更高的ECC要求. 不同设计对ECC的要求不同，因此需要的ECC数量请参考设备数据表.
当重复读取相同的数据时，会发生读干扰. 就其本质而言，NAND技术具有非常低的读干扰错误发生率. 但, 减轻由于读干扰而接收到的任何错误, 我们建议用户刷新数据，以减少读取相同数据的次数.
确保在任何类型的PROGRAM或ERASE操作之后向NAND设备发出读 STATUS命令. 在PROGRAM或ERASE操作之后检查状态将报告PROGRAM或ERASE操作是否成功. 如果读 STATUS命令报告程序操作失败, 该数据应该在其他地方编程，正在编程的块应该退役. 如果读 STATUS命令报告ERASE操作失败, 该区块也应该被淘汰.
是的.
在双晶片NAND器件中, 每个CE#上都有一个骰子, 返回的设备ID是一个死的每个CE#. 例如，具有两个CE#引脚的8Gb双晶NAND设备将在每个CE#上返回一个4Gb的设备ID. 请参阅NAND设备数据表的Read ID部分了解更多细节.
其他美光NAND闪存技术信息——包括性能增强命令的详细信息——可以在NAND技术说明页面上找到.
美光发布了用于NAND器件的Verilog、HSPICE和宜必思模型. 为您的需求找到合适的模型, 请参阅适当的NAND部件目录，并选择您的设备以查看可用的型号.
检查NAND设备是否使用了适当数量的纠错码(ECC). ECC阈值可以在NAND设备数据表的“错误管理”部分找到. 还要确保没有使用NAND制造商(微米)标记的坏块. 有关如何搜索制造商标记的坏块的更多详细信息，请参阅NAND设备数据表的“错误管理”部分.
确保在给NAND设备上电后向该设备发出了重置命令(FFh). 在允许向NAND器件的每个有效芯片使能(CE#)发出任何命令之前，必须向该CE#发出复位命令(FFh).
显卡内存
图形动态随机存取记忆体是DDR S动态随机存取记忆体的一个类别，设计用于处理非常大的带宽需求. 不像标准动态随机存取记忆体, 图形动态随机存取记忆体通常焊接在与SoC相同的PCB上，并且每个内存组件始终支持32个dq. 除了显卡和游戏机, 图形动态随机存取记忆体正用于网络等高带宽应用, 汽车和高性能计算.
GDDR5提供更高的密度, 较低的外部电压和两倍以上的内存带宽相比，其前身, GDDR3. 与DDR3和GDDR3中的2X关系相比，GDDR5的数据速率与CK时钟之间的4X关系是唯一的.
不，由于封装大小的差异，GDDR5不是GDDR3的直接替代品. GDDR3有一个136球的BGA封装，GDDR5有一个170球的BGA封装.
图形动态随机存取记忆体是DDR S动态随机存取记忆体的一个类别，设计用于处理非常大的带宽需求. 不像标准动态随机存取记忆体, 图形动态随机存取记忆体通常焊接在与SoC相同的PCB上，并且每个内存组件始终支持32个dq. 除了显卡和游戏机, 图形动态随机存取记忆体正用于网络等高带宽应用, 汽车和高性能计算.
GDDR5X提供更高的密度和更低的外部电压(1.35V)与其前身GDDR5相比. GDDR5X的带宽是GDDR5的两倍(10-16 Gb/s)，同时保留了传统的离散封装技术(FBGA)。.
是的，GDDR5X有两种操作模式:
- QDR模式:支持10gb /s及以上的速度
- DDR模式:支持0.速度2 ~ 6gb /s，兼容GDDR5
是的，GDDR5X有IEEE 1149.1柔性边界扫描.
美光是业界首家支持GDDR5X量产的内存供应商.
是的，GDDR5X SGRAM标准于2012年12月首次发布. 2015为JESD232. 最新的JEDEC版本是JESD232A.
由于封装尺寸的差异，GDDR5X不是GDDR5的直接替代品. GDDR5有一个170球，0.8mm-pitch BGA封装，而GDDR5X有一个190-ball.65年mm-pitch包.
图形动态随机存取记忆体是DDR S动态随机存取记忆体的一个类别，设计用于处理非常大的带宽需求. 不像标准动态随机存取记忆体, 图形动态随机存取记忆体通常焊接在与SoC相同的PCB上，并且每个内存组件始终支持32个dq. 除了显卡和游戏机, 图形动态随机存取记忆体正用于网络等高带宽应用, 汽车和高性能计算.
GDDR6提供了比上一代图形内存更高的密度. 它的带宽是GDDR5的两倍，速度超过了GDDR5X. 除了, 它基于双通道架构, 这使得巨大的性能提高，同时仍然提供向后兼容GDDR5内存访问大小.
No
是的
是的，GDDR6有IEEE 1149.1柔性边界扫描
美光正在利用其两年多来设计的基于gddr5x的高速信号技术, 大规模生产, microgddr6沙巴体育结算平台的测试和应用学习. 这使得美光在使用传统内存组件的高速信号方面保持领先地位.
是的，GDDR6 SGRAM标准于2017年7月首次发布，名为JESD250.
由于封装尺寸的差异，GDDR6不是GDDR5或GDDR5X的直接替代品. GDDR5有一个170球，0.8mm螺距的BGA封装，GDDR5X有190个球，0.65毫米螺距的BGA封装和GDDR6具有180球，0.75mm-pitch BGA封装.
混合存储立方体
美光将继续为高性能应用开发和设计存储器. GDDR有路线图支持，并在这个领域继续增长. 美光还建立了HBM开发项目.
请与相应的销售团队或分销联系人合作，确保在最后一次购买日期之前将上次购买的数量传达给美光公司.
见上图.
美光是网络领域存储器的领先供应商, 我们将继续关注和评估未来的机会.
混合存储立方体联盟(HMCC)是一个由行业领导者组成的工作组, 设计或启用HMC技术. HMCC的目标是定义行业可采用的HMC接口，并促进将HMC集成到支持开发人员的各种应用程序中, 制造商和推动者利用这种革命性的技术.
HMCC正在进行重大的探索性工作. 美光将继续为HMCC提供技术讨论和从客户互动中学习的支持/输入.
多片包
是的. 我们有PoP的可靠性数据. 接触微米 了解更多信息.
No. PoP/MCP部件经过与分立元件相同的鉴定测试.
Beagle板使用我们的NAND +移动LPDDR PoP组合部件, 密度取决于你使用的是哪种版本的小猎犬板. 在物理部分输入第二个5位字母数字代码到我们的FBGA解码器, 谁会提供给你相应的美光零件号.
从系统解决方案的角度来看, 因为PoP直接与处理器配对, 它消除了在PCB上布线的需要. 这为客户节省了成本，并提供了更好的信号完整性.
市场正在推动对更小的PoP外形的需求, 一些合同制造商已经启用了这项技术. PoP可以帮助节省路由成本并提高信号完整性. 考虑到这些成本和性能优势, 美光建议您与您的客户经理密切合作，以确保顺利过渡到这项技术.
当从使用离散部件的测试转移到PoP测试时, 应该注意的是，在包含分立元件的设计中没有留下存根. 如果需要，一个0欧姆电阻可以将存储器与用于分立部件的走线隔离开来.
我们的标准沙巴体育结算平台是x16 NAND和x32 移动 LPDDR. 我们也有x8 NAND和x16移动LPDDR. 要获取最新信息， 请与当地的美光技术支持联系.
MCP是包含多个芯片的多芯片封装，可以被任何控制器使用. PoP是MCP的一种形式，专门用于堆叠在处理器的顶部，处理器的顶部有与PoP的球体相匹配的衬垫. 因为PoP包正好堆叠在处理器的顶部, 它消除了在PCB上布线的需要，并提供更好的信号完整性. 针对不同的处理器设计了不同的PoP封装. PoP和MCP器件使设计人员能够利用z空间，并提供灵活性，在一个封装中提供不同的逻辑(例如, NAND +移动LPDDR或e.MMC™+ NAND +移动LPDDR. 我们有广泛的沙巴体育结算平台选择，以满足客户的需求.
固态存储器
我们通过我们的关键品牌直接向消费者销售固态硬盘(和内存). 关键的固态硬盘提供同样的高质量, 可靠性, 和性能, 而是包装起来供消费者销售的. 你今天就可以买到 至关重要的.com/ssd.
裸死
现在几乎所有的美光内存芯片都是整片销售的, 非单一模具(请与您当地的销售联系人查询可用性). 每批晶圆都提供晶圆图. 有关晶圆映射的更多信息，请参见 TN-00-21. (有关Aptina图像传感器模具订单的信息，请参见 aptina.com)
微米芯片作为整片晶圆提供，并在水平晶圆托运人(“硬币堆”)或供应商箱中运输. 客户必须有一个洁净的环境来储存和拆封美光晶圆片. 有关更多信息，请参见 CSN 20:整个晶圆封装.
标准“未接地”晶圆片厚度为200mm晶圆750µm, 300mm晶圆790µm. 美光根据沙巴体育结算平台提供额外的200mm晶圆厚度选择. 超出标准厚度的模具厚度选择请参见相应的模具数据表. 根据客户需求，美光可能会考虑加工其他厚度. 更多信息请咨询您的销售代表.
支持
串行存在检测
将十六进制值转换为二进制，然后将其与相应JEDEC SPD规范中相关的SPD字节进行匹配，将提供字节的用途及其设置方式的转换.
美光利用一个专有的应用程序，根据工程师的输入和规则数据库为每个零件号生成SPD值. 数据库中的规则是精心编写的，以确保遵守JEDEC SPD规范. 这个过程确保了兼容性和一致性.
模块的防雷器规格由JEDEC确定. 美光在JEDEC标准编号中使用了几种SPD规格. 21-C用于确定和生成S动态随机存取记忆体、DDR、DDR2、DDR3和FBDIMM模块的SPD数据. 这些规范(如果得到批准)可在以下网址向公众提供 www.电平.org. 尚未完成或批准的规范仅供JEDEC成员使用.
串行状态检测
防雷器数据代表了模块的不同电特性和物理特性. 该数据永久存储在模块上的可电擦除可编程只读存储器(EEPROM)中. BIOS (basic input/output system)通过SMBus访问防雷器信息. 然后，系统BIOS可以使用这些数据来配置系统，以优化已安装的内存.
SPD表显示了每个内存模块上EEPROM中每个字节的十六进制值.
建立了模型
可以为DDR创建Verilog模型, DDR2, 和DDR3模块，通过使用美光提供的包装器与Verilog模型的动态随机存取记忆体组件在您正在使用的特定模块上使用. 可配置的DIMM模型文件(ddr_dimm . xml).v, ddr2_module.V或ddr3_dimm.v)包含在动态随机存取记忆体 Verilog模型中 .DDR、DDR2和DDR3组件下载. 的自述.TXT文件包含在 .配置DIMM的型号.
美光的模块被制造成与奇偶和非奇偶系统硬件兼容. Par_in(奇偶校验)和高阶地址信号有一个弱(100K-ohm)下拉电阻，以稳定在开关点周围振荡的输入. Err_out(奇偶校验错误输出)是一个打开的漏出，应该保留为true no connect，除非在奇偶校验系统中使用. 奇偶模块上的SPD数据不反映奇偶. 在极少数情况下，非奇偶校验系统的固件或BIOS会在SPD的奇偶校验位上出错. 出于这个原因, 系统设计人员应确保非奇偶校验系统的固件期望或忽略这部分SPD数据.
建议从连接器制造商处获取连接器的模型，以确保准确的模型. 美光或许能提供一种简单的, 不耦合的RLC连接器模型可以原样使用，也可以创建您自己的连接器模型. 请电子邮件 动态随机存取记忆体的支持 请求这个模型.
通常来说, 不向客户提供Gerber和odb++文件, 因为这些文件包含了我们设计的专有信息可能会在未经我们同意的情况下被用来批量生产我们的沙巴体育结算平台. 客户通常没有理由需要Gerber文件. 提供Gerber文件给PCB生产厂家批量生产PCB. 宜必思, EBD, 或者电路板文件为客户创建模型和执行信号完整性仿真提供了足够的信息.
美光可以根据大多数模块的要求提供Hyperlynx模型. 请电子邮件 动态随机存取记忆体的支持 根据您的要求并提供您感兴趣的模块的完整零件号. 请注意, 一旦您的请求得到确认，可能需要长达两周的时间才能收到模型.
美光不提供模块的VHDL模型. 我们将建模资源集中在更高利用率的建模标准上，例如宜必思, Verilog, 和HSPICE. 然而, 可以使用VHDL模型的替代方案:Denali和Synopsys都在其网站上提供了内存组件和模块模型库. 这些EDA包可能是在没有VHDL模型的情况下创建行为模拟的另一种方法. 一些模拟器(如ModelSim)提供了双语言选项(VHDL和Verilog). 为了以这种方式进行模拟，可以在当前可用的Verilog模型周围使用VHDL包装器.
要发现该型号支持的驱动强度，请执行以下操作:
- HSPICE模型:看 .Sp文件以获取有关支持的驱动器强度以及如何选择它们的信息.
- 宜必思模型:对[模型选择器]部分进行文本搜索. 本节描述可以为给定输入/输出或输出缓冲区选择的驱动器强度.
HSPICE模型:查看自述文件中的模具修订信息.
宜必思模型:查看文件顶部的模具修订信息.
通过实验室测量来验证模型, 微米比较了几个项目, 例如输入电容, 电源和地箝位二极管特性, 输出缓冲器驱动强度, 和输出缓冲区转换速率. 新的美光模型包括一个质量报告，将模型特性与实验室测量和数据表规格进行比较.
大多数微米模型包含的宜必思 4特有的关键字很少.0. 在许多情况下，模型可以做成宜必思 3.2-兼容一些简单的更改. 首先，将[宜必思 Ver]关键字更改为3.2. 接下来，在每个[Model Spec]关键字下的“Vref”部分前面放置一个注释字符(“|”). 最后，注释掉每个[Receiver Thresholds]部分.
就性能和功耗而言，内存控制器有两个级别是有利的. 例如, 当控制器等待一个64位字在一个秩上可用时, 第二个64位的rank可以被访问. 这种交错增加了模块的整体性能. 功率也可以在未使用的rank上降低，从而降低模块的功耗.
1.X水平模型表明该模型与任何实验室测量结果无关. 通常情况下,1.X级模型提供预硅或预生产设备. A 2.X水平模型已与实验室测量相关联.
电路板文件是PCB的完整电气和机械表示. EBD和odb++文件是由单板文件生成的. 未经保密协议，不得向客户提供电路板文件，因为这些文件包含有关模块设计的机密和专有信息.
gerber是发给PCB制造商生产PCB的文件. Gerber是一个过时的术语，因为电路板商店目前需要odb++文件来批量生产pcb. Gerber这个词使用得很松散. 它有时指的是表示PCB的电气和机械特性的任何文件, 包括EBD, ODB + +, 和板文件. 当客户请求某个模块的Gerber文件时, 确定他们真正需要的特定文件是很重要的.
等级通常是指系统的数据总线宽度. 这个宽度通常是64位或72位. 例如, 如果将8个宽度为8位的组件安装到PCB上, 这将创建一个64位宽的模块, 允许从模块中读出64位字. 我们将其称为“单级”模块. 16个元件，每个元件宽度为8位，可以安装在PCB上形成两个, 64位宽, 创建“双等级”模块.
等级通常是指系统的数据总线宽度. 这个宽度通常是64位或72位. 例如, 如果将8个宽度为8位的组件安装到PCB上, 这将创建一个64位宽的模块, 允许从模块中读出64位字. 我们将其称为“单级”模块. 16个元件，每个元件宽度为8位，可以安装在PCB上形成两个, 64位宽, 创建“双等级”模块.
An .ibbs或宜必思文件是电路的表示形式，旨在由Cadence®Allegro®或HyperLynx®等仿真应用程序读取. 宜必思(输入/输出缓冲信息规范)是一个EIA(电子工业联盟)标准. 宜必思是一个特定格式的文本文件，表示电流对电压和电压对电压. 电路输入和输出的时间特性. 宜必思模型是向客户提供的首选文件，因为这些文件不包含有关组件内部构成的任何专有信息. 宜必思文件通常不需要nda.
内存控制器可以在一个银行中开始操作，并在第一个操作完成时在另一个银行中执行单独的操作. 这种交错增加了动态随机存取记忆体的整体性能.
组特定于单个动态随机存取记忆体组件，并参考动态随机存取记忆体组件内的子阵列. rank是特定于内存模块的，它指的是由多个动态随机存取记忆体组件组成的子阵列.
一个模块的完整宜必思模型由以下几个文件组成:
1. 特定模块上使用的动态随机存取记忆体的宜必思模型
2. 锁相环、寄存器和eeprom的宜必思模型(根据需要)
3. PC上电阻并联终端的宜必思模型
4. PCB的EBD (electronic board description)文件. 该文件引用了上面提到的终止的宜必思文件.
总之，这些文件提供了PCB的完整表示.
当电路板设计师在寻找CAD图纸或模拟的起点时，他们经常会问这个问题. 因为要考虑的变量太多了，所以很难给出一个“正确”的答案. 时钟速度, 1T或2T计时, 已注册或未缓冲的模块, 和走线阻抗都是重要的因素. 有些控制器有片上终止，有些没有. 有些控制器有命令和地址总线的两个副本. 所有这些因素都会影响走线长度和终端，并影响如何实现可接受的信号完整性.
微米技术说明 TN-47-01, TN-47-20, TN-46-14 可以作为一个起点吗, 但是，迹线长度和终止最终必须通过仿真和物理测试来证明. 美光为没有专业知识或资源来运行模拟的客户提供了一个在线模拟器. 在线模拟器位于美光公司的安全区域.com; visit the following URL to request access: www.微米.com/simulators.
我们发现，根据客户的要求创建模块模型效率更高. 如果您无法找到您感兴趣的模块的宜必思模型, 请将您的要求电邮至 动态随机存取记忆体的支持.
对微米
收购尔必达
你可以继续用同样的电话号码和办公地点联系你的联系人. 您的联系人应该向您提供他们新的美光电子邮件地址，以便继续使用.
有效的2月. 28, 2014, 尔必达改名为微米 内存 Japan，尔必达秋田改名为微米 Akita, 公司.
随着我们继续将尔必达整合到美光，一些销售办事处的位置将会改变. 详情请与您当地的销售代表联系.
您的销售代表随时可以回答您可能遇到的任何问题，并将与您密切合作，确保所有问题都得到最大程度的定义和解决.
去 www.微米.com/careers 申请工作.
继续和以前的销售和客户服务代表一起工作. 如果对这些联系人进行更改，您将立即收到通知.
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尔必达沙巴体育结算平台相关信息已集成到www.elpida.微米.com. 使用这些有用的提示来识别尔必达零件和导航我们的扩展零件目录:
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订购部件号将更改为包括包装介质指示器(磁带) & 卷轴或托盘). 2013年12月发布了沙巴体育结算平台变更通知. 如果您有任何其他问题，请联系您的销售代表.
尔必达零件信息, 包括访问尔必达特定的零件目录和数据表, 访问微米.com/elpidaparts.
目前，尚无计划更改尔必达品牌沙巴体育结算平台的标识或零件标记. 如果有任何变化, 美光将努力将任何对客户的影响降到最低，并将利用适当的渠道将这些变化告知客户.
继续任何正在进行的资格认证, 除非您的客户支持团队另有通知. 如果您对支持或资格有疑问, 请依靠现有的美光或尔必达技术联系人获取信息.
美光对其分销网络进行了更改. 有关美光授权经销商的完整列表，请参阅 美光授权经销商名单. 美光授权经销商将同时销售美光和尔必达的沙巴体育结算平台. 如果您对订购沙巴体育结算平台有任何疑问或问题，请发送电子邮件至 distribution@微米.com; 和 we will ensure that someone assists you. 随着时间的推移, 美光决定进一步改变其分销网络, 我们将积极配合分销商和客户的供应链需求.
- 业务系统迁移到美光的SAP采购环境.
- 采购订单的布局和编号将从2014年3月开始改变.
- 将为2月11日之间的尔必达/Rexchip开放式采购订单创建替代美光的采购订单. 2014年3月28日至2014年3月7日，并将参考原尔必达/Rexchp采购订单号.
- 美光采购订单上的账单地址可能与以前的尔必达/Rexchip地址不同. 2014年2月的第一周，Elpida/Rexchip的供应商收到了一封包含新法人实体和账单地址的信件.
- 对每个尔必达法人实体有效的第三方协议将被分配给美光和/或最终终止. 将联系受影响的供应商.
- 美光的核心团队和前尔必达团队成员正在努力解决这些协议. 预计不会有任何变化，但如果协议受到影响，美光可能会与您联系.
美光的条款和条件将适用于所有购买. 通常这些都包含在采购订单中. 对于美光存储器日本公司来说，它们通常包含在主购买协议中. 然而, 如果你已经和尔必达签订了协议, 在一般情况下, 其中包含的条款和条件将继续适用，直到该等协议被修改或其期限结束.
基金会
我们目前还没有合适的机制来捐献内存. 有时我们有半导体设备可以捐赠给我们的 大学的合作伙伴.
去“社区赠款页面下载应用程序和说明.
按照指示，向美光基金会提交所有必要的表格和信息.
我们不能考虑不完整的提案或不属于我们主要资助领域的计划/项目.
高等教育资助申请只接受邀请. 讨论一个想法，请联系Janine Rush-Byers，电话:(208)363-3675.
您必须位于制造站点社区:美国.S. 组织必须设在博伊西附近, ID; organizations near 微米's Manassass, VA; International organizations must be located near Singapore or Avezanno, 意大利.
请与 微米的基础 如果你不确定你的资格.
你必须证明你是非营利性的. 必须提交一份完整的申请. 请参阅下面的部分. 优先考虑那些专门针对推进科学、数学和技术的项目.
学校可以以不同的层次参与这些项目，从个别项目到多层次参与的战略合作伙伴关系. 一所学校的参与程度取决于美光与每所大学感兴趣的院系之间的契合程度和共同兴趣.
探索你们部门参与的可能性, 联系美光大学关系经理 university_relations@微米.com.
当地社区和K-12补助金，请联系Kami Faylor (208) 363-3675
高等教育补助金，联系Janine Rush-Byers (208) 363-3675
绿色工程
是的. 指令2011/65/EU(取代指令2002/95/EC), 限制在电气及电子设备内使用某些有害物质(RoHS), 会影响美光的半导体沙巴体育结算平台吗. 本指令的目的是限制在电气和电子设备中使用某些有害物质，保护人类健康和环境. 美光的沙巴体育结算平台一直符合5/6 RoHS标准, 这意味着它们含有铅焊料, 但在其他方面符合RoHS规定(符合六项规定中的五项). 美光的无铅沙巴体育结算平台完全符合RoHS标准.
美光的符合RoHS标准的模块级沙巴体育结算平台确实含有电子部件，可以在指令2011/65/EU豁免的应用中使用Pb(见第4条), 附件3). 欲了解更多信息，请与您的销售/市场代表联系.
在环境总局下分发的欧洲委员会常见问题单可作为正式(但不具有法律约束力)参考点.
美光的沙巴体育结算平台并不直接销售给消费者. EPUP和其他标记和标签要求仅适用于直接在消费者市场上销售的沙巴体育结算平台. 欲了解更多信息，请联系您的销售/市场代表.
\n这些物质并不是美光在生产过程中有意添加的，但在用于生产成品的原材料中可能存在微量物质.
\n"}}' id="tThe ext-d5cfcbd8The eThe e">美光的无铅组件, 死, 硅片级沙巴体育结算平台不含中国RoHS限制的六种物质中的任何一种. 美光的模块在未获豁免和获豁免的欧盟RoHS应用中可能含有Pb(市场上没有可靠的无Pb替代品).
美光的沙巴体育结算平台并不直接销售给消费者. EPUP和其他标记和标签要求仅适用于直接在消费者市场上销售的沙巴体育结算平台. 欲了解更多信息，请联系您的销售/市场代表.
这些物质并不是美光在生产过程中有意添加的，但在用于生产成品的原材料中可能存在微量物质.
美光完全了解来自法规2006/1907/EC的沙巴体育结算平台要求, 登记, 评价 Authorization和 Restriction的 Chemicals. 美光不断监控新增加的候选名单，并及时核实 Substance的 V非常 H本 C关注用于生产过程和对最终沙巴体育结算平台的潜在影响. 美光致力于向客户提供其沙巴体育结算平台中所含物质的相关信息. 如需任何文件，请与您的销售代表联系.
除符合RoHS标准外, 美光的绿色包装中不含有已被认定对环境有害或已知会造成严重可靠性问题的物质:溴, 氯, 含锑物质, 无机红磷. 这些物质不是有意添加到包装材料(如密封剂)中的, 模具贴附材料, 未充满环氧树脂, 和基质. 以下列出了美光绿色包装中允许的这些物质的最大痕量.
<900 ppm Chlorine
<900 ppm 溴
<1500 ppm Chlorine & 溴
<900 ppm Antimony
<100 ppm Red Phosphorus
请注意，虽然我们的无铅和绿色沙巴体育结算平台不含任何故意添加的铅, 我们的无铅部件不一定是绿色的, 因为它们可能含有卤素或锑化合物.
*这些物质不是美光在生产过程中有意添加的，但在用于生产成品的原材料中可能存在微量物质.
您可以通过导航到部件详细页面或使用主要沙巴体育结算平台族导航来查找特定部件的RoHS符合性证书.
美光的绿色工程项目符合rohs标准，并符合世界上大多数新兴的环境标准, 包括亚洲和欧洲.
- 焊锡球, 美光正在用锡(Sn)取代锡铅合金(Sn36Pb2Ag或Sn37Pb)。, 银(Ag), 铜(Cu)合金(e.g.， sac105, sac305, sac405, lf35).
- 对于模块上的锡膏，美光正在用Sn3取代Sn37Pb.8Ag0.7Cu.
- 对于含铅TSOP，美光正在用哑光镀锡取代90Sn10Pb.
这些替代确保美光的无铅部件符合rohs标准. 部件的表面安装温度认证为260°C.
ISO 14001
1997年2月，美光科技有限公司., 贵公司是美国首批获得新的iso14001环境管理体系标准认证的公司之一吗. 美光被KEMA注册质量公司选中.美国是ANSI-RAB国家认证计划的试点参与者，也是美国五家认证机构之一.S. 参与该项目的试点公司.
iso14001认证要求符合以下四个基本要素:
- 实施环境管理体系
- 确保程序已就位，以保持符合适用的法规
- 承诺持续改善
- 致力于全面防治污染
iso14001是自愿性的国际环境管理标准, 如何确保组织拥有有效的环境体系. 它在环境方面相当于iso9000质量标准. 许多国家和公司已经在世界范围内实施了iso9000质量标准.
美光在环境合规和保护方面采取了非常积极主动的方法，为我们的员工服务, 我们的客户, 以及我们运营所在的社区. 我们为我们的环境和工人安全计划感到自豪. 我们认为遵守最低限度的规定, 作为一个基准和工作总是优于最低规定要求. iso14001非常适合我们的公司和文化. 制定环境管理标准背后的主要力量是对环境管理和问责制的渴望. iso14001体现了一种方法, 它超越了法规遵从性，并挑战组织评估其环境计划, 不断提高, 并致力于有效的流程和污染预防. 美光已经具备了符合ISO 14001标准所需的大部分要素. 我们认为这是一个让我们的承诺得到认可的机会, 努力程度, 以及成就记录.
其他
一般的沙巴体育结算平台
热信息包括温度极限和热阻抗值. IT部件(TC)的温度限制确实会发生变化, TJ, 和TA), 热阻抗值为θJA, θJB, 和θJC)则不会，因为热阻抗主要取决于封装.
你的特殊板设计不应该成为主要关注的原因. 无论VDDQ电压如何，引脚都可以处理VDD电压.
ECC芯片应该与其他设备共享相同的CKE和cs#，因为它们是作为相同的数据块访问的.
存储库是存储位的数组. 多个阵列或组包含在一个动态随机存取记忆体组件中. 根据密度的不同，动态随机存取记忆体组件可能由4或8组组成. 例如，一个银行可能包含3200万行，每行4位. 这相当于128兆比特. 在一个动态随机存取记忆体组件中包含四个这样的存储库将产生一个512Mb的组件.
驱动器的阻抗容限为±15%.
ONFI
我们所有50系列及以上的NAND器件都符合onfi标准.
1. 它通过改善与NAND组件的接口行为的均匀性，简化了支持一系列组件的Flash控制器的设计.
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\n"}}' id="tThe ext-fc1997c0ba">ONFI主要通过两种方式缩短沙巴体育结算平台上市时间:
1. 它通过改善与NAND组件的接口行为的均匀性，简化了支持一系列组件的Flash控制器的设计.
2. 它减少了最终用途应用中闪存组件的设计时间，并且无需更改设计或固件即可使用新一代NAND组件.
ONFI代表Open NAND Flash接口. ONFI是一个致力于简化NAND闪存与消费电子沙巴体育结算平台集成的行业工作组, 计算平台, 以及其他各种需要固态大容量存储的应用. ONFI工作组为NAND闪存定义了标准化的组件级接口规范. ONFI还为NAND闪存定义模块连接器和模块外形规格(类似于动态随机存取记忆体内存). 欲了解更多信息，请访问 www.onfi.org.
ONFI提高了Flash组件在一系列沙巴体育结算平台中的嵌入式集成, 包括许多现在使用Flash的人, 比如手机, pda, MP3播放器, 和笔记本. 然而，很可能ONFI 2的好处.1将首先在PC平台实现. 因为它的速度比ONFI 2快得多.1提供, ssd和缓存解决方案将能够为PC平台的工作负载带来实质性的好处.
